Личный кабинетЛК
EN

Создание подложек и многослойных эпитаксиальных структур на основе карбида кремния

Статус Активен
Название центра ООО «ЦТТ»
Сайт центра www.itcitmo.ru
Аннотация Инновационная компания (Санкт-Петербург) работает над созданием подложек и многослойных эпитаксиальных структур на основе карбида кремния. Авторы ищут партнеров для заключения соглашения о научном сотрудничестве.
Описание предложения Подложки и многослойных эпитаксиальные структуры на основе карбида кремния необходимы для создания принципиально новых устройств в различных областях электроники. Для проведения работ необходимы технологические установки, позволяющие проводить ростовые процессы монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния.
Инновационные аспекты и преимущества Полученные структуры позволят расширить области применения карбида кремния в широком ряду областей электроники и не только. Их расширенное применение откроет новые возможности за счет создания принципиально новых приборов, так и резкого улучшения параметров хорошо известных.
Технологические ключевые слова 01002007 Нанотехнологии, связанные с электроникой и микроэлектроникой
Коды рыночных применений 03001001 Полупроводники
Права интеллектуальной собственности Патент получен
Комментарии, дата и номер патента 2010
Тип требующегося сотрудничества Соглашение о научном сотрудничестве
Техническая кооперация
Тип искомого партнера Малые и средние компании, промышленные предприятия. Компании специализирующиеся на вакуумных технологиях для высокотемпературных и плазменных процессов и входящих в число лидеров мирового рынка агломерационных установок для производства твердых сплавов, установок для выращивания кристаллов, а также установок для активации поверхностей и особо тонкой плазменной очистки. Производство приборов для электроники и оптоэлектроники на основе кремния, полупроводниковых соединений и органических полупроводников.
Задачи, стоящие перед партнером Высокая
Область деятельности партнера Производство оборудования для получения карбида кремния
Дата профиля 24.03.2015
Тип профиля Технологический запрос
Открытость профиля для выражений интереса Y
Профиль из EEN N